Intel Corporation (INTC) Stock : la production à risque 18A-P renforce la feuille de route des fonderies

TLDR

• Intel progresse de 3,05 % alors que le 18A-P entre en production à risque au VLSI.
• INTC gagne du terrain alors qu'Intel Foundry confirme l'avancement de la feuille de route 18A-P.
• Intel 18A-P apporte des gains en puissance, en performance et en flexibilité de conception.
• Intel détaille ses travaux de mise à l'échelle des puces dans les domaines CFET, GaN et ruthénium.
• La mise à jour d'Intel Foundry soutient l'action INTC après une séance volatile.

Les actions Intel Corporation (INTC) ont progressé à 120,61, en hausse de 3,05 %, après une séance agitée qui s'est terminée par un solide redressement. Le titre a reculé en début de séance, avant de regagner du terrain et de clôturer près des plus hauts intrajournaliers. Ce mouvement fait suite aux nouvelles mises à jour d'Intel Foundry présentées au Symposium VLSI 2026.

Intel Corporation, INTC

Intel 18A-P entre en production à risque

Intel Foundry a annoncé que l'Intel 18A-P est entré en production à risque, conformément au calendrier communiqué aux clients l'année dernière. Cette mise à jour marque la première amélioration des performances au sein de la famille de procédés Intel 18A. Elle renforce également le message d'Intel sur l'exécution à long terme de ses activités de fonderie.

La société a présenté l'Intel 18A-P comme une mise à niveau compatible avec la conception de l'Intel 18A. Grâce à cette compatibilité, les clients peuvent réutiliser la propriété intellectuelle existante ainsi que les flux de conception. Cette approche permet de réduire les frictions lors de la transition des concepteurs de puces vers le procédé amélioré.

Intel indique que le 18A-P offre des performances 9 % supérieures à puissance égale. Il propose également une consommation d'énergie inférieure de 18 % à niveau de performance équivalent. Par ailleurs, le procédé intègre de meilleures caractéristiques thermiques et des options de conception plus étendues.

Les mises à jour du procédé soutiennent les gains en performance et en puissance

Intel a introduit Power Boost, une option de transistor à double contact pour l'Intel 18A-P. Cette fonctionnalité réduit la résistance, augmente le courant de commande et prend en charge une fréquence plus élevée à capacité équivalente. Les concepteurs disposent ainsi d'une voie supplémentaire pour améliorer les performances des puces.

La société a également fait état d'une résistance thermique améliorée de 20 % à 40 %. Intel a cité une résistance via améliorée de 10 % à 30 % grâce à des changements de matériaux et de géométrie. Ces mises à jour ciblent le flux de chaleur, l'alimentation électrique et le déplacement des signaux à travers les couches de la puce.

Intel a également ajouté de nouvelles options de transistors basse consommation et hautes performances. Elle inclut une cinquième paire de seuils de tension logique entre ULVT et LVT. Les concepteurs bénéficient ainsi d'une plus grande flexibilité pour équilibrer vitesse, puissance et efficacité.

Les présentations au VLSI apportent un contexte à plus long terme

Intel a profité de l'événement VLSI pour relier le 18A-P aux travaux antérieurs sur l'Intel 18A. La société a introduit sur le marché l'année dernière des transistors gate-all-around et une alimentation backside. Ces technologies soutiennent désormais ses prochaines améliorations de procédés et ses plans de mise à l'échelle futurs.

Intel a présenté des recherches montrant une réduction de 11 % de la surface routée et une chute de tension dynamique dix fois inférieure. La société a indiqué que ces gains peuvent permettre une fréquence jusqu'à 6 % plus élevée. Ils peuvent également permettre une puissance dynamique inférieure de plus de 15 % par rapport à une technologie frontside comparable.

Intel a également présenté des recherches à plus long terme portant sur le CFET, l'intégration GaN et les interconnexions en ruthénium. Ses travaux sur le CFET ont empilé des dispositifs NMOS et PMOS avec un pas de grille de 45 nm. Parallèlement, les études sur le GaN et le ruthénium visaient la gestion de l'alimentation, la mise à l'échelle des interconnexions et l'efficacité future des puces.

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